ذاكرة الوصول العشوائية (Random access memory)
من اسمها يتبن لنا دورها فهي كالذاكرة البشرية تخزن فيها المعلومات الى حين الحاجة اليها فيتم استدعائها لكن ما تختلف به أنها مؤقتة يعني انه في اللحظة التي نشتغل فيها على الحاسوب فالبرامج والملفات الخ تخزن فيها لكن بمجرد غلق الجهاز تتم مسح البيانات تلقائيا وهي الاجزاء الاساسية لعمل الحاسوب والتأثير في أدائه وتوجد أنواع عديدة وأحجام مختلفة منها .
تقاس ذاكرة الرام بوحدات قياس الذواكر الاخرى كالقرص الصلب,الفلاشة... البايت ووحداتها (كيلوبايت KB ميجابايت MB,جيجابايت GB...) لكن تعتبر الذواكر كالقرص الصلب والفلاشة ذواكر دائمة وبطيئة مقارنة بذاكرة الرام(ram) سريعة ومؤقتة .
أنواع الذاكرة الرام (RAM)
ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية (Dynamic Random A ccess Memory = DRAM )
تستعمل بكثرة في الحواسب لرخص ثمنها مقارنة مع ذاكرة الوصول العشوائية الساكنة (SRAM) لا تستطيع الاحتفاظ بالمعلومة لفترة أطول لذلك فهي تحتاج الى انعاش مستمر ولهذا سميت بهذا الاسم و لأن الشحنة الكهربئية تتلاشى بمقدار ضئيل من الزمن يقاس بالملي ثانية هنا تقوم الذاكرة بإعادة كتابة المعلومة عدة مئات من المرات في الثانية.
وتحتوي على خلايا ذاكرة تتكون من زوج من الترانزستورات والمكثفات وتنقسم بدورها الى عدة أنواع :
1- FPM DRAM = Fast Page Mode DRAM
هذه الذاكرة انقرضت تقريبا حالها حال الاجهزة التي كانت تشتغل عليها معالجات intel386 والجيل الاول من 486
عرض هذه الذاكرة كان 3,5 بوصة والارتفاع يعادلها ثلاث أرباع البوصة وعدد الابرة كان 30 ابرة وكانت تعمل بسرعة ولوج تعادل 120 نانو ثانية، أي أن المعالج يحتاج أن ينتظر هذه المدة لكي يستطيع الدخول إلى الذاكرة واسترجاع أو إيداع المعلومة ثم تحسنت الى سرعة ولوج إلى 60 نانو ثانية إلا أنها لا زالت تعتبر بطيئة.
2- Extended Data Out DRAM =EDO
هذه الذاكرة كانت تستخدم مع الجيل الاخير من معالجات Intel 485 والجيل الاول من معالجات Pentium عرض هذه الذاكرة كان 4,25 بوصة والارتفاع 1 بوصة وعدد الابرة كان 30 ابرة وكانت تعمل وتحتوي على حز واحد في المنتصف وتعتبر أنها سرعتها ضعف FPM DRAM وذلك بسبب سماح للمعالج القيام بعملية جديدة قبل انتهاء العملية التي سبقتها لا تستطيع العمل على سرعات تردد أكثر من 66 ميغاهيرتز.
Burst EDO DRAM= BEDO DRAM - 3
كانت محاولة لتسريع عمل EDO RAM. الفكرة من تقنية Burst هي بإرسال المعلومة إلى الذاكرة بشكل دفعات. أول دفعة من المعلومة تحتوى على عناوين المعلومات التي تتبعها، لذا فان باقي المعلومة سيتم التعامل معها بشكل أسرع حيث انه تم التجهيز لاستقبالها. برغم نجاح هذه التقنية في تسريع سرعة الولوج إلى الذاكرة لما يقارب 10 نانو ثانية، إلا أن عدم قدرتها على العمل بسرعة تردد أعلي من 66 ميغاهرتز أدى إلي اضمحلالها بغياهب النسيان.
4- Synchronous DRAM = SDRAM
هذا النوع من الذاكرة هو المنتشر حاليا و أقصى حجم من المعلومات يمكن نقلها ما بين الذاكرة والمعالج هي 800 ميغابايت في الثانية تعمل بسرعة مستمدة من الناقل الأمامي وهذا هو معنى كلمة Synchronous . هنا تكون السرعة 66 او100 أو 133 ميغاهيرتز. نضع بحسباننا انه كلما زادت السرعة زادت كمية المعلومات التي يتم نقلها بنفس اللحظة.
5 - DDR-DDRAM
Double Data Rate وهو التطور المنطقي لذاكرة، SDRAM.، لزيادة حجم المعلومة المنقولة بين المعالج والذاكرة، فانه تم اختراع تقنية مضاعفة تردد الناقل الأمامي لكي تحول سرعة تردد الناقل الأمامي من 100 إلى 200 ميغاهيرتز ومن 133 إلى 266 ميغاهيرتز. من هنا أتى المسمى Double Data Rate DRAM. هذه التقنية ساعدت كثيرا في تحسين مستوى نقل المعلومة، فبات بالإمكان تقل المعلومات بين المعالج والذاكرة بسرعات تصل إلى 2100 ميغابايت بالثانية. وبعد ذلك تم التطوير إلى DDR 1 DDR 2 DDR 3
في هذا النوع من الذاكرة تم تغيير المسمى من تبيان سرعة تردد الناقل الأمامي إلى تبيان حجم المعلومة التي يتم نقلها. PC1600 تبين أن هذه الذاكرة تستطيع نقل 1600 ميغابايت في الثانية بينما PC2100 تعنى أن الذاكرة تستطيع نقل 2100 ميغابايت في الثانية.
6 - RDRAM
Rambus dynamic random access memory
وهذا النوع من الذاكرة يستعمل ناقل بيانات سريع يسمى Rambus channel نسبة الى الشركة المسجلة لبراءة الاختراع Rambus تعمل كل واحدة منها بشكل متوازي تم الوصول لسرعات تردد تصل إلى 800 ميغا هرتز. زيادة التردد هذه لا تعنى زيادة كبيرة بحجم المعلومة التي يتم نقلها، هذه الذاكرة تستطيع بأفضل حال تقل 1600 ميغابايت في الثانية بسبب تصغير حجم الناقل إلى 16 بت كذلك تعانى هذه الذاكرة من بطء تواقيتها. هذا البطء يؤثر على السرعة الإجمالية للذاكرة مما يؤدى إلى عدم الاستفادة من زيادة سرعة النقل بشكل كبير. في كثير من الأحيان فان ذاكرة RDRAM لا تستطيع التفوق على ذاكرة DDR-DRAM.النوع الوحيد من المعالجات التي تدعم مثل هذه الذاكرة هو بنتيوم4 المصنع من شركة Intel. كما أن شركة Intel هي الشركة الوحيدة التي تصنع شرائح لوحة أم تستطيع التعامل معها بسبب السعر العالي لهذه الذاكرة، ومطالبة شركة Rambus المصنعين بدفع رسوم تصنيع عالية، وأدائها الغير مقنع، فان غالب الشركات المصنعة للذاكرة والمعالجات وشرائح اللوحات الأم قد اتجهت إلي تأييد وتصنيع ذاكرة DDR-DRAM.
النوع الثاني :
ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (SRAM=static random access memory)
هو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي التي تخزن البيانات باستخدام أسلوب ثابت ، والتي تبقى البيانات ثابتة طالما يتم توفير الطاقة الكهربائية ل رقائق الذاكرة . وهذا يختلف من DRAM ( ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية) ، الذي يقوم بتخزين البيانات بشكل حيوي و يحتاج باستمرار لتحديث البيانات المخزنة في الذاكرة. وذلك لأن مخازن البيانات SRAM ثابت ، وهو أسرع و يتطلب طاقة أقل من DRAM.
ومع ذلك ، SRAM هي أكثر تكلفة لصنع أكثر من DRAM لأنها بنيت باستخدام بنية أكثر تعقيدا. هذا التعقيد يحد أيضا من كمية البيانات شريحة ، وهذا يعني رقائق SRAM لا يمكن ان تحمل بيانات كثيرة مثل رقائق DRAM . لهذا السبب، غالبا ما يتم استخدام DRAM مثل الذاكرة الرئيسية لأجهزة الكمبيوتر الشخصية. ومع ذلك ، يتم استخدام SRAM عادة في التطبيقات الأصغر حجما، مثل مخبأ الذاكرة وحدة المعالجة المركزية والقرص الصلب المخازن المؤقتة. كما أنها تستخدم في مجال الالكترونيات الاستهلاكية الأخرى، من الأجهزة الكبيرة الى لعب الأطفال الصغار .
